参数资料
型号: ATP613-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 2.75A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 30V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 带卷 (TR)
ATP613
mm
Outline Drawing
ATP613-TL-H
Mass (g) Unit
0.266
* For reference
Land Pattern Example
6.5
1.5
Unit: mm
2.3
2.3
No. A1903-6/7
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