参数资料
| 型号： | ATTINY15L-1PC |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 52/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AVR MCU 1K FLASH 2.7V 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 1.6MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 6 |
| 程序存储器容量： | 1KB（512 x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
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56
ATtiny15L
1187H–AVR–09/07
High-voltage Serial
Programming Algorithm
To program and verify the ATtiny15L in the High-voltage Serial Programming mode, the
following sequence is recommended (See instruction formats in Table 25):
1.
Power-up sequence:
Apply 4.5 - 5.5V between V
CC and GND. Set PB5 and PB0 to “0” and wait at least
30 s.
Set PB3 to “0”. Wait at least 100 ns.
Apply 12V to PB5 and wait at least 100 ns before changing PB0. Wait 8 s
before giving any instructions.
2.
The Flash array is programmed one byte at a time by supplying first the address,
then the low and high data byte. The write instruction is self-timed; wait until the
PB2 (RDY/BSY) pin goes high.
3.
The EEPROM array is programmed one byte at a time by supplying first the
address, then the data byte. The write instruction is self-timed; wait until the PB2
(RDY/BSY) pin goes high.
4.
Any memory location can be verified by using the Read instruction, which
returns the contents at the selected address at serial output PB2.
5.
Power-off sequence:
Set PB3 to “0”.
Set PB5 to “0”.
Turn V
CC power off.
When writing or reading serial data to the ATtiny15L, data is clocked on the eigth rising
edge of the 16 external clock pulses needed to generate the internal clock. See Figure
Figure 31. High-voltage Serial Programming Waveforms
MSB
LSB
0123456789
10
SERIAL DATA INPUT
PB0
SERIAL INSTR. INPUT
PB1
SERIAL DATA OUTPUT
PB2
INTERNAL CK
SERIAL CLOCK INPUT
PB3
16x
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PDF描述 |
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参数描述 |
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