参数资料
| 型号： | ATTINY15L-1SI |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 60/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AVR MCU 1K FLASH 2.7V SO8 |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 1.6MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 6 |
| 程序存储器容量： | 1KB（512 x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
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63
ATtiny15L
1187H–AVR–09/07
Low-voltage Serial
Programming
Characteristics
Figure 35. Low-voltage Serial Programming Timing
Table 28. Low-voltage Serial Programming Characteristics, T
A = -40°C to 85°C,
V
CC = 2.7 - 5.5V (Unless Otherwise Noted)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
1/tCLCL
RC Oscillator Frequency (VCC = 2.7 - 5.5V)
0.8
1.6
MHz
tCLCL
RC Oscillator Period (VCC = 2.7 - 5.5V)
625.0
1250.0
ns
tSHSL
SCK Pulse Width High
2.0 tCLCL
ns
tSLSH
SCK Pulse Width Low
2.0 tCLCL
ns
tOVSH
MOSI Setup to SCK High
tCLCL
ns
tSHOX
MOSI Hold after SCK High
2.0 tCLCL
ns
tSLIV
SCK Low to MISO Valid
10.0
16.0
32.0
ns
Table 29. Minimum Wait Delay after the Chip Erase Instruction
Symbol
Minimum Wait Delay
t
WD_ERASE
8.2 ms
Table 30. Minimum Wait Delay after Writing a Flash or EEPROM Location
Symbol
Minimum Wait Delay
tWD_FLASH
4.1 ms
t
WD_EEPROM
8.2 ms
MOSI
MISO
SCK
t
OVSH
t
SHSL
t
SLSH
t
SHOX
t
SLIV
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PDF描述 |
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