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参数资料
| 型号： | AUIRF1010EZSTRR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 375K |
| 代理商： | AUIRF1010EZSTRR |
AUIRF1010EZ/S/L
www.irf.com
11
D2Pak Part Marking Information
D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches))
YWWA
XX or XX
Part Number
IR Logo
Lot Code
AUF1010EZS
Date Code
Y= Year
WW= Work Week
A= Automotive, Lead Free
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRF1010EZ | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| AUIRF1010EZSTRL | 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRF1010ZSTRL | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRF1010ZL | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| AUIRF1010ZS | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRF1010Z | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010Z_12 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology |
| AUIRF1010ZL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010ZS | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRF1010ZSTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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