型号: | AUIRFR4104TRR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 42 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
封装: | PLASTIC, DPAK-3 |
文件页数: | 2/14页 |
文件大小: | 317K |
代理商: | AUIRFR4104TRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AUIRFR4104TR | 42 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRFR4105ZTRL | 30 A, 55 V, 0.0245 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRFR4105ZTRR | 30 A, 55 V, 0.0245 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRFR4105Z | 30 A, 55 V, 0.0245 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
AUIRFR4105ZTR | 30 A, 55 V, 0.0245 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AUIRFR4105 | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRFR4105_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Planar Technology Low On-Resistance |
AUIRFR4105TR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRFR4105TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
AUIRFR4105TRR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |