参数资料
型号: AUIRGR4045DTRR
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件页数: 12/15页
文件大小: 453K
代理商: AUIRGR4045DTRR
AUIRGR/U4045D
6
www.irf.com
Fig. 13 - Typ. Energy Loss vs. IC
TJ = 175°C; L = 1mH; VCE = 400V, RG = 47; VGE = 15V.
Fig. 15 - Typ. Energy Loss vs. RG
TJ = 175°C; L = 1mH; VCE = 400V, ICE = 6.0A; VGE = 15V
Fig. 14 - Typ. Switching Time vs. IC
TJ = 175°C; L=1mH; VCE= 400V
RG= 47; VGE= 15V
Fig. 16- Typ. Switching Time vs. RG
TJ = 175°C; L=1mH; VCE= 400V
ICE= 6.0A; VGE= 15V
Fig. 17 - Typical Diode IRR vs. IF
TJ = 175°C
Fig. 18 - Typical Diode IRR vs. RG
TJ = 175°C; IF = 6.0A
0
2468
10
12
14
IC (A)
50
100
150
200
250
300
350
400
E
ne
rg
y
(
J)
EOFF
EON
2
4
6
8
10
12
14
IC (A)
1
10
100
1000
S
w
ic
hi
ng
T
im
e
(n
s)
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
Rg (
)
60
80
100
120
140
160
180
200
220
E
ne
rg
y
(
J)
EOFF
EON
0
25
50
75
100
125
RG ()
1
10
100
1000
S
w
ic
hi
ng
T
im
e
(n
s)
tR
tdOFF
tF
tdON
2
4
6
8
10
12
14
IF (A)
0
5
10
15
20
25
30
I R
R
(A
)
RG = 10
RG = 22
RG = 47
RG = 100
0
25
50
75
100
125
RG ()
6
8
10
12
14
16
18
20
22
I R
R
(A
)
相关PDF资料
PDF描述
AUIRGS30B60KTRR 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
AUIRGS30B60KTRL 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
AUIRGS30B60K 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
AUIRGSL30B60K 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA
AUIRL1404STRL 160 A, 40 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相关代理商/技术参数
参数描述
AUIRGS30B60K 功能描述:IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
AUIRGS30B60KTRL 功能描述:IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
AUIRGS30B60KTRR 功能描述:IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
AUIRGS4056D 制造商:International Rectifier 功能描述:AUIRGS4056D Series 600 V 24 A N-Channel IGBT Flange Mount - D2PAK-3
AUIRGS4062D1 功能描述:IGBT 晶体管 Automotive 600V Ultra IGBT D2PAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube