型号: | AUIRGR4045DTRR |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
文件页数: | 12/15页 |
文件大小: | 453K |
代理商: | AUIRGR4045DTRR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AUIRGS30B60KTRR | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
AUIRGS30B60KTRL | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
AUIRGS30B60K | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
AUIRGSL30B60K | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA |
AUIRL1404STRL | 160 A, 40 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AUIRGS30B60K | 功能描述:IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
AUIRGS30B60KTRL | 功能描述:IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
AUIRGS30B60KTRR | 功能描述:IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
AUIRGS4056D | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUIRGS4056D Series 600 V 24 A N-Channel IGBT Flange Mount - D2PAK-3 |
AUIRGS4062D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 Automotive 600V Ultra IGBT D2PAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |