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参数资料
| 型号： | AUIRLR2703TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRLR2703
1000
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 14A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
200
C oss
C rss
9
6
3
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
SEE FIGURE 13
12 16
20
A
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 175°C
T J = 25°C
100
10μs
100μs
10
1ms
V GS = 0V
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
A
100
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| AW24MUFL-H2 | 2.4GHZ WIRELESS MODULE U.FL |
| AWAC24U | 2.4GHZ WIRELESS USB DONGLE |
| AWS24S | MODULE WIRELESS USB EXT ANT |
| B1A-10PK | LAMP INDICATOR T-3 1/4 120V 10PK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLR2703TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2703TRR | 功能描述:MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905 | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905TR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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