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参数资料
| 型号： | AUIRLR2905TRL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 42 A, 55 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | AUIRLR2905TRL |
AUIRLR2905
www.irf.com
9
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
D-Pak Part Marking Information
AULR2905
YWWA
XX or XX
Date Code
Y= Year
WW= Work Week
A= Automotive
Part Number
IR Logo
Lot Code
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLR2905ZTR | 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLR2905ZTRR | 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLR2905Z | 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLR2905ZTRL | 42 A, 55 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLR3410TRL | 17 A, 100 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLR2905TRR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905Z | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905ZTR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905ZTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR2905ZTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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