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参数资料
| 型号： | AUIRS2112STR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 140ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 3 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRS2112S
Description
The AUIRS2112S is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high- and low-
side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized
monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic.
The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.
Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to
drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.
www.irf.com
3
? 2008 International Rectifier
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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