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参数资料
| 型号： | AZ23B30-E8 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | AZ23B30-E8 |
www.vishay.com
4
Document Number 85759
Rev. 2, 15-Jul-03
VISHAY
AZ23 Series
Vishay Semiconductors
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Figure 1. Forward characteristics
Figure 2. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Figure 3. Dynamic Resistance vs. Zener Current
18114
18115
18120
Figure 4. Thermal differential resistance versus Zener voltage
Figure 5. Dynamic resistance versus Zener voltage
Figure 6. Temperature dependence of Zener voltage versus Zener
voltage
°C/W
18121
18122
°C
18123
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AZ23B30-G3-18 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
| AZ23B30-HE3-08 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| AZ23B30-HE3-18 | 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 |
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