参数资料
型号: AZ23B30-E8
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 30 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 6/9页
文件大小: 358K
代理商: AZ23B30-E8
www.vishay.com
6
Document Number 85759
Rev. 2, 15-Jul-03
VISHAY
AZ23 Series
Vishay Semiconductors
18111
Figure 12. Breakdown Characteristics
18112
Figure 13. Breakdown Characteristics
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PDF描述
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参数描述
AZ23B30-G 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes, Dual
AZ23B30-G3-08 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000
AZ23B30-G3-18 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000
AZ23B30-HE3-08 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000
AZ23B30-HE3-18 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 30V 300mW ±2% SOT-23 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000