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BCR 101T E6327

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BCR 101T E6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
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功能描述
TRANSISTOR NPN 50V 50MA SC-75
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列
-
标准包装
10,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
47k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
频率 - 转换
100MHz
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
PG-SOT323-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000756242

BCR 101T E6327 技术参数

BCR 101L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCP69TA 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP69T1G 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP69T1 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:10 BCP6925TC 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:4,000 BCR 112T E6327 BCR 114F E6327 BCR 114L3 E6327 BCR 114T E6327 BCR 116F E6327 BCR 116L3 E6327 BCR 116S E6727 BCR 116S H6727 BCR 116T E6327 BCR 119 E6433 BCR 119F E6327 BCR 119L3 E6327 BCR 119T E6327 BCR 129F E6327 BCR 129L3 E6327 BCR 129T E6327 BCR 133 B6327 BCR 133F B6327