您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

BCR 142W H6327

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BCR 142W H6327
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
SOT323-3
刚到货
-
代理可含税开票

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BCR 146F E6327 BCR 146L3 E6327 BCR 146T E6327 BCR 148 B6327 BCR 148F B6327 BCR 148F E6327 BCR 148L3 E6327 BCR 148S H6827 BCR 148T E6327

BCR 142W H6327 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BCR 142W H6327 PDF下载

功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 AF DIGITAL TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

BCR 142W H6327 技术参数

BCR 142T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 142L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 142F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 141T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 141S H6727 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR 148W H6433 BCR 149F E6327 BCR 149L3 E6327 BCR 149T E6327 BCR 151F E6327 BCR 151L3 E6327 BCR 151T E6327 BCR 153F E6327 BCR 153L3 E6327 BCR 153T E6327 BCR 158 B6327 BCR 158F E6327 BCR 158L3 E6327 BCR 158T E6327 BCR 162 B6327 BCR 162F E6327 BCR 162L3 E6327 BCR 162T E6327