您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BCR 183S H6433

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BCR 183S H6433
    BCR 183S H6433

    BCR 183S H6433

  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8323763213302457603

    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • Infineon Technologies

  • TRANS PNP DGTL 50V 1

  • 23+

  • -
  • 原装现货欢迎来电查询!

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
BCR 183S H6433 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 开关晶体管 - 偏压电阻器 AF DIGITAL TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶体管极性
  • NPN/PNP
  • 典型输入电阻器
  • 典型电阻器比率
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作频率
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 集电极连续电流
  • 150 mA
  • 峰值直流集电极电流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作温度
  • 封装
  • Reel
BCR 183S H6433 技术参数
  • BCR 183L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 183F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 183 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR 179T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 179L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 191T E6327 BCR 192 B6327 BCR 192F E6327 BCR 192L3 E6327 BCR 192T E6327 BCR 196F E6327 BCR 196L3 E6327 BCR 196T E6327 BCR 198F E6327 BCR 198L3 E6327 BCR 198T E6327 BCR 199F E6327 BCR 199L3 E6327 BCR 199T E6327 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327 BCR 402R E6327 BCR 402U E6433
配单专家

在采购BCR 183S H6433进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BCR 183S H6433产品风险,建议您在购买BCR 183S H6433相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BCR 183S H6433信息由会员自行提供,BCR 183S H6433内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号