BCR 192 E6327

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BCR 192 E6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BCR 192 E6327
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
SOT23
刚到货
-
代理可含税开票

BCR 192 E6327
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

BCR 192 E6327 技术参数

BCR 192 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR 191T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 191L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 191F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 189T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 199F E6327 BCR 199L3 E6327 BCR 199T E6327 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327 BCR 402R E6327 BCR 402U E6433 BCR 48PN H6727 BCR 503 B6327 BCR 512 B6327 BCR 519 E6327 BCR 569 E6327 BCR08AM-12A#B00 BCR08AM-12A-TB#B00 BCR08AM-14A#B00 BCR08AM-14A#FD0 BCR08AM-14A-A6#B00 BCR08AS-12AT14#B11