BFR 182W H6327

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说明
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BFR 182W H6327
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
30000
Infineon
SOP
23+
-
原装正品可开增票

BFR 182W H6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
41455
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BFR 182W H6327
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
SOT323-3
刚到货
-
代理可含税开票

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功能描述
射频双极小信号晶体管 RF BIP TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFR 182W H6327 技术参数

BFR 182W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 182T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BFR 182 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BFR 182 B6663 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BFR 181W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:1 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1