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BSC011N03LSG

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BSC011N03LSG 技术参数

BSC011N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC011N03LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4700pF @ 15V 功率 - 最大值:96W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC010NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:Digi-Reel? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:- 安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC010NE2LSI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:- 安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC010NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 BSC016N04LS G BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G BSC017N04NSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1