BSC018NE2LSG

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BSC018NE2LSG
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
20000
INFINEON/英飞凌
QFN8
22+
-
原厂原装现货

BSC018NE2LSG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
10000
INFINEON
QFN8
22+
-
终端免费提供样品可开13%增值税发票

BSC018NE2LSG
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
20000
INFINEON
QFN8
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

BSC018NE2LSG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
QFN8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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BSC018NE2LSG 技术参数

BSC018NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 12V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC018N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 85μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 20V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC017N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 85μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:108nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8800pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），139W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC017N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 85μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8800pF @ 20V 功率 - 最大值:139W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC016N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC022N03SG BSC022N04LSATMA1 BSC024N025S G BSC024NE2LS BSC024NE2LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 BSC026N02KS G BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N04LSATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 BSC027N03S G BSC027N04LSGATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1