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BSC020N025SGIN

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BSC020N025SGIN 技术参数
  • BSC020N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8290pF @ 15V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC019N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 85μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):108nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8800pF @ 20V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC019N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC019N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.95 毫欧 @ 50A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 350μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):85nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13000pF @ 10V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC018NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Ta),100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2500pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC025N03MSGATMA1 BSC026N02KS G BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N04LSATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 BSC027N03S G BSC027N04LSGATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
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