BZX85B43RLTA2

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BZX85B43RLTA2 技术参数

BZX85B3V9-TR 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B3V9-TAP 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B3V6-TR 功能描述:Zener Diode 3.6V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B3V6-TAP 功能描述:Zener Diode 3.6V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B3V3-TR 功能描述:Zener Diode 3.3V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:40μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B51-TR BZX85B56-TAP BZX85B56-TR BZX85B5V1-TAP BZX85B5V1-TR BZX85B5V6-TAP BZX85B5V6-TR BZX85B62-TAP BZX85B62-TR BZX85B68-TAP BZX85B68-TR BZX85B6V2-TAP BZX85B6V2-TR BZX85B6V8-TAP BZX85B6V8-TR BZX85B75-TAP BZX85B75-TR BZX85B7V5-TAP