BZX85B5V1RL2

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BZX85B5V1RL2 技术参数

BZX85B56-TR 功能描述:Zener Diode 56V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B56-TAP 功能描述:Zener Diode 56V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:120 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B51-TR 功能描述:Zener Diode 51V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B51-TAP 功能描述:Zener Diode 51V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:115 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B4V7-TR 功能描述:Zener Diode 4.7V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:13 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B6V2-TR BZX85B6V8-TAP BZX85B6V8-TR BZX85B75-TAP BZX85B75-TR BZX85B7V5-TAP BZX85B7V5-TR BZX85B82-TAP BZX85B82-TR BZX85B8V2-TAP BZX85B8V2-TR BZX85B91-TAP BZX85B91-TR BZX85B9V1-TAP BZX85B9V1-TR BZX85C10 BZX85C10 A0G BZX85C10 R0G