BZX85B9V1TAP

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BZX85B9V1TAP
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BZX85B9V1TAP 技术参数

BZX85B91-TR 功能描述:Zener Diode 91V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 68V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B91-TAP 功能描述:Zener Diode 91V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 68V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85B8V2-TR 功能描述:Zener Diode 8.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B8V2-TAP 功能描述:Zener Diode 8.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B82-TR 功能描述:Zener Diode 82V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 62V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZX85C10-TAP BZX85C10-TR BZX85C11 BZX85C11 A0G BZX85C11 R0G BZX85C11_T50A BZX85C11_T50R BZX85C11-TAP BZX85C11-TR BZX85C12 BZX85C12 A0G BZX85C12 R0G BZX85C12_T50R BZX85C12-T50R BZX85C12-TAP BZX85C12-TR BZX85C13 BZX85C13 A0G