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BZY33

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BZY33 技术参数
  • BZX884-C9V1,315 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C9V1 标准包装:1 BZX884-C8V2,315 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C8V2 标准包装:1 BZX884-C7V5,315 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C7V5 标准包装:1 BZX884-C75,315 功能描述:DIODE ZENER 75V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C75 标准包装:1 BZX884-C6V8,315 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C6V8 标准包装:1 BZY55B24 RYG BZY55B27 RYG BZY55B2V4 RYG BZY55B2V7 RYG BZY55B30 RYG BZY55B33 RYG BZY55B36 RYG BZY55B3V0 RYG BZY55B3V3 RYG BZY55B3V6 RYG BZY55B3V9 RYG BZY55B4V3 RYG BZY55B4V7 RYG BZY55B5V1 RYG BZY55B5V6 RYG BZY55B6V2 RYG BZY55B6V8 RYG BZY55B7V5 RYG
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