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BSS84

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  • 功能描述
  • MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSS84 技术参数
  • BSS83PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):330mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 330mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS83PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):330mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.57nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 330mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSS83PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):330mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 330mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS83P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):330mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 330mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS83,235 功能描述:RF Mosfet N-Channel SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:N 通道 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:50mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:10,000 BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2
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