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参数资料
型号： B120-E3/5AT
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 2/3页
文件大小： 79K
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA
标准包装： 7,500
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 20V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 520mV @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 200µA @ 20V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-214AC，SMA
供应商设备封装： DO-214AC（SMA）
包装： 带卷 (TR)
‘? I B120 thru B1607 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ELECTRICAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 DC unless otherwise noted)NEESEC
Maximum reverse current at rated VR
TA : 100 no I
Notes(1) Pulse test: 300 us pulse width, 1 % duty cycle(2) Pulse test: Pulse width g 40 ms
THERMAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 DC unless othenwise noted)
PARAMETER
Typical thermal resistance
Note(‘J P.C.B. mounted with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (9) PREFERRED PACKAGE CODE DELIVERY MODE
B140-E3/61T mime
B140-E3/SAT mime
RATINGs AND cHARAcTERIsTIcs cuRvEs(TA : 25 °C unless otherwise noted)
3 E120 thru E140
:. Resistive or Inductive Load B150 and S160
: ___________________44___E J -
Q I A —
o 5
at eg 2?’
D )-LL 9
a: P.C.E!. Mounted on (
3 0.2“ X02" (5.0 rrIrnx5.0 mm)
F; Copper Pad Areas /<(0 25 50 75 I00 125 I50 0 0.2 0.4 0 6 o E 1 D 12
Lead Temperature (°C) Average Forward Current
Fig. 1 — Maximum Fonward Current Derating Curve Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics
Revision: 27-Mar-12 2 Document Number: 88946
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.Com, DiodesAsia@vishay.COm, DiOdesEurope@vishay.Com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vIshay.o9m/doo?91000
相关PDF资料
PDF描述
AD586MNZ IC VREF SERIES PREC 5V 8-PDIP
HCC60DRTN-S734 CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
HMM06DSXS CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
EEM15DSUN CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
HCC60DRTH-S734 CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
B120F 制造商:Siemens 功能描述:
B120H 制造商:Siemens 功能描述:
B120H00S01 制造商:Siemens 功能描述:
B120H00S07 制造商:Siemens 功能描述:
B120H01 制造商:Siemens 功能描述:
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