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参数资料
| 型号： | B32778G1256K |
| 厂商： | EPCOS Inc |
| 文件页数： | 11/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | FILM CAP 25UF 10% 1300V MKP |
| 标准包装： | 27 |
| 系列： | B32778 |
| 电容： | 25µF |
| 额定电压 - DC： | 1300V（1.3kV） |
| 电介质材料： | 聚丙烯，金属化 |
| 容差： | ±10% |
| ESR（等效串联电阻）： | * |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 尺寸/尺寸： | 2.264" L x 1.378" W（57.50mm x 35.00mm） |
| 高度 - 座高（最大）： | 1.969"（50.00mm） |
| 端子： | PC 引脚 |
| 引线间隔： | 2.067"（52.50mm） |
| 特点： | 通用 |
| 应用： | * |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | B32778G1256K000 |
B32774 ... B32778
MKP DC link
high density series
Pulse handling capability
"dV/dt" represents the maximum permissible voltage change per unit of time for non-sinusoidal
voltages, expressed in V/ μ s.
Note:
The values of dV/dt provided below must not be exceeded in order to avoid damaging the
capacitor.
dV/dt values
Lead spacing
Type
27.5 mm
B32774
37.5 mm
B32776
V R (V DC)
dV/dt in V/μs
450
30
800
40
1100
75
1300
100
450
21
575
22
800
22
900
32
1100
54
1300
73
Lead spacing
Type
52.5 mm
B32778
V R (V DC)
dV/dt in V/μs
450
14
575
15
800
15
900
25
1100
35
1300
50
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GWM160-0055X1-SL SAM | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| B32778G1256K000 | 功能描述:薄膜电容器 25UF 10% 1300V FILM CAP MKP BOXED RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
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| B32778G1276J000 | 功能描述:CAP FILM 27UF 5% 1.3KVDC RADIAL 制造商:epcos (tdk) 系列:B32778 包装:散装 零件状态:在售 电容:27μF 容差:±5% 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:1300V（1.3kV） 介电材料:聚丙烯（PP），金属化 ESR（等效串联电阻）:4.5 mOhms 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 大小/尺寸:2.264" 长 x 1.378" 宽（57.50mm x 35.00mm） 高度 - 安装（最大值）:1.969"（50.00mm） 端接:PC 引脚 引线间距:2.067"（52.50mm） 应用:DC 链路，DC 滤波 等级:- 特性:长寿命 标准包装:108 |
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