参数资料
型号: B350B-E3/5BT
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 0K
描述: DIODE SCHOTTKY 3A 50V SMB
标准包装: 3,200
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 660mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 50V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商设备封装: DO-214AA(SMB)
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHM ___2_____________________________EE§9§LE9§9E7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
THERMAL cHARAcTERIs s (TA = 25 DC unless othenrvise noted)
PARAMETER
Note
DELIVERY MODE
7" diameter plastic tape and reel
13" diameter plastic tape and reel
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cuRvEs(TA : 25 °C unless otherwise noted)
100iS E
‘E :
gt’ 8 103 U0 E
‘E 3
N E3 LEB mLL 8 1g {DE E0, ._> E< E
on0 25 50 75 100 125 150 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2TM - Mount Temperature (°C) Instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 1 - Maximum Fonlvard Current Derating Curve Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
100
8
Average Power Loss (W)
F)9
0.001
Instantaneous Reverse Current (mA)
:3
0.00010 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100Average Forward Current (A) Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 2 - FonNard Power Loss Characteristics Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
Revision: 27-Mar-12 2 Document Number: 89122
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PDF描述
MAX6250BCSA+ IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC
R1S12-0512-R CONV DC/DC 1W 05VIN 12VOUT
GEM18DRUN CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
RBM08DCBI CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
R1S12-0509-R CONV DC/DC 1W 05VIN 09VOUT
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参数描述
B350B-M3/52T 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):660mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:750
B350B-M3/5BT 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):660mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,200
B350BTZ13JKF 制造商:Micron Industries Corporation 功能描述:
B350C 制造商:CHENDA 制造商全称:Chendahang Electronics Co., Ltd 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
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