参数资料
型号: B350B-E3/5BT
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: DIODE SCHOTTKY 3A 50V SMB
标准包装: 3,200
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 660mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 50V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商设备封装: DO-214AA(SMB)
包装: 带卷 (TR)
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1000
100
Junction capacitance (pF)
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
PACKAGE OUTLINE DIMENs|oNs in inches (miiiimeters)
Do.214AA (SMB)
Cathode Band
T Mounting Pad Layout
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Revision: 27-Mar-12 3 Document Number: 89122
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PDF描述
MAX6250BCSA+ IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC
R1S12-0512-R CONV DC/DC 1W 05VIN 12VOUT
GEM18DRUN CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
RBM08DCBI CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
R1S12-0509-R CONV DC/DC 1W 05VIN 09VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
B350B-M3/52T 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):660mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:750
B350B-M3/5BT 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):660mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,200
B350BTZ13JKF 制造商:Micron Industries Corporation 功能描述:
B350C 制造商:CHENDA 制造商全称:Chendahang Electronics Co., Ltd 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
B350C-12-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: