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参数资料
| 型号： | BAP65-02,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 98K |
| 描述： | DIODE PIN 30V 100MA SOD-523 |
| 产品培训模块： | RF Small Signal Products Part 1 RF Small Signal Products Part 2 |
| 产品目录绘图： | SOD-523 Pin Out SOD-523 Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | PIN - 单 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 30V |
| 电流 - 最大： | 100mA |
| 电容@ Vr, F： | 0.375pF @ 20V，1MHz |
| 电阻@ Vr, F： | 3.5 欧姆 @ 100mA，100MHz |
| 功率耗散（最大）： | 715mW |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAP65-02
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? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 28 September 2010
2 of 9
NXP Semiconductors
BAP65-02
Silicon PIN diode
5. Limiting values
6. Thermal characteristics
7. Characteristics
Table 4. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
continuous reverse voltage
- 30 V
IF
continuous forward current
- 100 mA
Ptot
total power dissipation Ts
?
90
?C-715mW
Tstg
storage temperature
?65 +150
?C
Tj
junction temperature
?65 +150
?C
Tamb
ambient temperature
?40 +85
?C
Table 5. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Unit
Rth j-s
thermal resistance from junction
to soldering point
85 K/W
Table 6. Characteristics
Tj
= 25?C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
IF
=50mA
- 0.9 1.1 V
IR
reverse leakage current
VR
=20V
--20nA
Cd
diode capacitance
VR
=0V; f=1MHz
- 0.65 - pF
VR
= 1 V; f = 1 MHz
- 0.55 0.9 pF
VR
=3V; f=1MHz
- 0.5 0.8 pF
VR
=20V; f=1MHz
- 0.375 - pF
rD
diode forward resistance IF
= 1 mA; f = 100 MHz - 1 -
?
IF
= 5 mA; f = 100 MHz
[1]
- 0.65 0.95
?
IF
=10mA; f=100MHz
[1]
- 0.56 0.9
?
IF
= 100 mA; f = 100 MHz - 0.35 -
?
?s21?2
isolation
VR
=0; f=900MHz
- 10 - dB
VR
= 0; f = 1800 MHz
- 5.8 - dB
VR
= 0; f = 2450 MHz
- 4.4 - dB
?s21?2
insertion loss
IF
= 1 mA; f = 900 MHz - 0.11 - dB
IF
= 1 mA; f = 1800 MHz - 0.13 - dB
IF
= 1 mA; f = 2450 MHz - 0.16 - dB
?s21?2
insertion loss
IF
= 5 mA; f = 900 MHz - 0.08 - dB
IF
= 5 mA; f = 1800 MHz - 0.11 - dB
IF
= 5 mA; f = 2450 MHz - 0.13 - dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAR43C | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23 |
| BAR43S | DIODE SCHOTTK 30V 200MA SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAP65-03 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PIN Diode Attenuator/Switch 30V SOD323 |
| BAP65-03,115 | 功能描述:PIN 二极管 PIN 30V 100MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 配置: 反向电压:200 V 正向连续电流: 频率范围:10 MHz to 6 GHz 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-3 封装:Reel |
| BAP65-03_01 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon PIN diode |
| BAP65-03115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SILICON PIN DIODE 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE PIN 30V 0.1A SOD-323 |
| BAP65-05 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PIN Diode Attenuator/Switch 30V TO236AB |
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