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参数资料
| 型号： | BAS116,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-5994-6 |
     2003 Dec 12 5 NXP Semiconductors Product data sheet Low-leakage diode BAS116 102 150 200 Tj ( °C) 50 0 mlb754 100 10 1 10?1 10?2 10?3 IR (nA) (1) (2) (1) Maximum values. (2) Typical values. VR = 75 V. Fig.5 Reverse current as a function of junction temperature. Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tj = 25 °C. 2handbook, halfpage 0 010205 15 VR (V) 1 MBG526 Cd (pF) handbook, full pagewidth trr (1) IF t output signal tr t tp 10% 90% VR input signal V = V I x RRF S R = 50S ? IF D.U.T. R = 50i ? SAMPLING OSCILLOSCOPE MGA881 Fig.7 Reverse recovery time test circuit and waveforms. (1) IR = 1 mA. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ACC36DRTH | CONN EDGECARD 72POS .100 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116-AU_A0_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116-AU_A0_10001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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