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参数资料
| 型号： | BAS116,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-5994-6 |
 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACC36DRTN | CONN EDGECARD 72POS .100 DIP SLD |
| EPM1270GM256C5N | IC MAX II CPLD 1270 LE 256-MBGA |
| ESM06DRAN | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| GEC08DRTH-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| ACC36DRTH | CONN EDGECARD 72POS .100 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116-7 | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116-7-F | 功能描述:整流器 85V 250mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116-AU_A0_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116-AU_A0_10001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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