- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22024 > BAS116LT1G (ON Semiconductor)DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BAS116LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 29/Oct/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS116LT1GOSDKR |
BAS116LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IBR
= 100
Adc)
V(BR)
75
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current (VR
= 75 Vdc)
Reverse Voltage Leakage Current (VR
= 75 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
5.0
80
nAdc
Forward Voltage (IF
= 1.0 mAdc)
Forward Voltage (IF
= 10 mAdc)
Forward Voltage (IF
= 50 mAdc)
Forward Voltage (IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
900
1000
1100
1250
mV
Diode Capacitance (VR
= 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
trr
?
3.0
s
1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
Output
Pulse
Generator
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Capacitance
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
1
10
100
1,000
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
150°C
?55°C
25°C
80
TA
= 25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AIMC-0603-18NJ-T | INDUCTOR MULTILAYER 18NH 0603 |
| AGM25DTBD-S189 | CONN EDGECARD 50POS R/A .156 SLD |
| AGL125V2-QNG132 | IC FPGA IGLOO 1.2-1.5V 132QFN |
| ADT7481ARMZ-REEL7 | IC SENSOR TEMP 2CH ALARM 10MSOP |
| RB751V40T1G | DIODE SCHOTTKY 40V 1MA SOD323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE, 75V, 200mA, SOT-23 |
| BAS116LT1G_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diode |
| BAS116LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V MED SPEED SWTCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS116LYL | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:325mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:10,000 |
| BAS116Q-13-F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。