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参数资料
| 型号： | BAS116UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE ARRAY 85V 215MA SOT963 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.35V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 85V |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAS116UDJ-7DIDKR |
BAS116UDJ
Document number: DS35244 Rev. 3 - 2
2 of 4
www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
BAS116UDJ
ADVANCE INFORMATION
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
85 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
60 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
215 mA
Repetitive Peak Forward Current
IFRM
500 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0ms
@ t = 1.0s
IFSM
4.0
1.0
0.5
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
250 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
500
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to +150 °C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
85
?
?
V
IR
= 100
μA
Forward Voltage
VF
?
?
0.95
1.05
1.15
1.35
V
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Leakage Current (Note 6)
IR
?
0.9
16
5.0
500
nA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= 150
°C
Total Capacitance
CT
?
2
?
pF
VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
0.12 3.0
μs
IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS116V-7 | DIODE LL 150MW 85V SOT-563 |
| BAS16DXV6T1G | DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563 |
| BAS16V-7 | DIODE SWITCH 75V 150MW SOT-563 |
| BAS16VV-7 | DIODE ARRAY 100V 200MA SOT563 |
| BAS21AVD,165 | DIODE ARRAY SW 200V SOT457R |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116V_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116V_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116V-7 | 功能描述:整流器 150MW 85V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116W | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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