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参数资料
| 型号： | BAS116UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE ARRAY 85V 215MA SOT963 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.35V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 85V |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAS116UDJ-7DIDKR |
BAS116UDJ
Document number: DS35244 Rev. 3 - 2
3 of 4
www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
BAS116UDJ
ADVANCE INFORMATION
0
0
50
100
25 50
75 100 125
150
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
150
200
250
300
Note 5
0.0010 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.01
0.1
1
10
100
1,000
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics - Per Element
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = -55°CA
0.010102030405060708090100
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics - Per Element
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
0.1
1
10
100
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = -55°CA
00 5 10 15 20 25 30 35 40
Fig. 4 Typical Total Capacitance vs. Reverse Voltage -
Per Element
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
0.25
0.75
1.25
1.75
0.50
1.00
1.50
2.00
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E (p
F
)
T
f = 1MHz
Package Outline Dimensions
SOT963
Dim
Min
Max Typ
A
0.40
0.50 0.45
A1
0
0.05 -
c
0.120
0.180 0.150
D
0.95
1.05 1.00
E
0.95
1.05 1.00
E1
0.75
0.85 0.80
L
0.05
0.15 0.10
b
0.10
0.20 0.15
e
0.35 Typ
e1
0.70 Typ
All Dimensions in mm
L
c
E
D
e1
e
E1
b (6 places)
A
A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS116V-7 | DIODE LL 150MW 85V SOT-563 |
| BAS16DXV6T1G | DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563 |
| BAS16V-7 | DIODE SWITCH 75V 150MW SOT-563 |
| BAS16VV-7 | DIODE ARRAY 100V 200MA SOT563 |
| BAS21AVD,165 | DIODE ARRAY SW 200V SOT457R |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116V | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116V_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116V_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS116V-7 | 功能描述:整流器 150MW 85V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS116W | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
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