参数资料
型号: BAS16
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 47K
描述: DIODE ULTRAFAST HI COND SOT-23
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
其它图纸: Diode Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 85V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 6ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1611 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BAS16FSDKR
BAS16
BAS16, Rev. C
Small Signal Diode
(continued)
11 0
1 2 3 5 10 20 30 50 100
120
130
140
150
Ta= 25°C
300
Ta= 25°C
Reverse
Current, IR
[uA]
R
R
[v]
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
010 20 30 50 70 100
50
100
150
200
250
Reverse Voltage, V
Reverse Current, I
R
[nA]
225
1 2 3
5 10 20 30 50
100
250
300
350
400
725
450
Ta= 25°C
700
Ta= 25°C
Forward Current, IF
[uA]
Forward Voltage, V
F
[mV]
F
F
485
4500.1 0.2
0.3
0.5 1 2 3 5 10
500
550
600
650
Forward Current, IF
[mA]
Forward Voltage, V
F
[mV]
F
Reverse Voltage, V
R
[v]
0.610
20
30
50
100
200
300
500
0.8
1
1.2
Ta= 25°C1.4
1.3
Ta = 2 5°C
Forward Current, IF
[mA]
Forward Voltage, V
F
[V]
F
1.5
10246810121415
1.1
1.2
Reverse Voltage
[V]
Total Cap
a
citance,
C
T
[p
F]
Typical Characteristics
Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current
BV - 1.0 to 100 uA
Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
IR - 10 to 100 V
Figure 3. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 1.0 to 100 uA
Figure 4. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 0.1 to 10 mA
Figure 5. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 10 - 800 mA
Figure 6. Total Capacitance
相关PDF资料
PDF描述
VI-21B-CW-F4 CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
LQG15HS82NJ02D INDUCTOR 82NH 150MA 0402
S561K29X5FN65K6R CAP CER 560PF 1KV 10% RADIAL
S472M39Z5UN6TL6R CAP CER 4700PF 1KV 20% RADIAL
TACL106K006RTA CAP TANT 10UF 6.3V 10% 0603
相关代理商/技术参数
参数描述
BAS16 /T3 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS16 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAS16 MCC 制造商:MCC 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode SOT-23 SINGLE 350mW 制造商:MCC 功能描述:HIGH SPEED SMD (Surface Mount) Switching Diode SOT-23 SINGLE 350mW - free partial T/R at 500.
BAS16 RFG 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000
BAS16 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 100V 0.215A 3-Pin TO-236AB T/R