参数资料
型号: BAS16DXV6T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 97K
描述: DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563
产品变化通告: Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 75V
反向恢复时间(trr): 6ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-563
包装: 剪切带 (CT)
工具箱: SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN
其它名称: BAS16DXV6T1OSCT
BAS16DXV6T1, BAS16DXV6T5, SBAS16DXV6T1G
http://onsemi.com
3
Figure 1. Reverse Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Stored Charge Equivalent Test Circuit
Figure 3. Forward Recovery Voltage Equivalent Test Circuit
VF
1 ns MAX
90%
10%
t
100 ns
tif
trr
Irr
500
DUT
50
DUTY CYCLE = 2%
Vf
90%
10%
20 ns MAX
t
400 ns
VC
VCM
t
VCM
Qa
C
500
DUT BAW62
D1 243 pF
100 K
DUTY CYCLE = 2%
V
120 ns
t
2 ns MAX
10%
90%
V
Vfr
1 K
450
50
DUT
DUTY CYCLE = 2%
OSCILLOSCOPE
R
10 M
C
7 pF
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PDF描述
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参数描述
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BAS16DXV6T1_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode
BAS16DXV6T1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS16DXV6T5 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS16DXV6T5G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube