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参数资料
| 型号： | BAS16DXV6T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 97K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN |
| 其它名称： | BAS16DXV6T1OSCT |
BAS16DXV6T1, BAS16DXV6T5, SBAS16DXV6T1G
http://onsemi.com
4
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
TA
= 85
°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
0.68
0.520
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.64
0.60
0.56
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 4. Forward Voltage Figure 5. Leakage Current
Figure 6. Capacitance
TA
= -
°C
TA
= 25
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
Figure 7. Normalized Thermal Response
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1.0 10 100 1000
0.001
0.01
0.1
1.0
r(t), NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
t, TIME (s)
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP432RL-7 | IC VREF SHUNT PREC ADJ SC-59R |
| AP432RL-7 | IC VREF SHUNT PREC ADJ SC-59R |
| IR21084STR | IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC |
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| AT24C164-10SU-2.7 | IC EEPROM 16KBIT 1MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS16DXV6T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual Switching Diode |
| BAS16DXV6T1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode |
| BAS16DXV6T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS16DXV6T5 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS16DXV6T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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