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参数资料
| 型号： | BAS16DXV6T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 97K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | BAS16DXV6T5GOS |
BAS16DXV6T1, BAS16DXV6T5, SBAS16DXV6T1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mA)
(IF
= 10 mA)
(IF
= 50 mA)
(IF
= 150 mA)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mV
Reverse Current
(VR
= 100 V)
(VR
= 75 V, T
J
= 150
°C)
(VR
= 25 V, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
1.0
50
30
A
Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mA, R
L
= 50
) (Figure 1)
trr
?
6.0
ns
Stored Charge
(IF
= 10 mA to V
R
= 6.0 V, R
L
= 500
) (Figure 2)
QS
?
45
PC
Forward Recovery Voltage
(IF
= 10 mA, t
r
= 20 ns) (Figure 3)
VFR
?
1.75
V
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