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参数资料
| 型号： | BAS16LD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 248K |
| 描述： | DIODE SW 100V SOD-882D |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-5294-6 |
                       BAS16LD All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 — 12 October 2010 3 of 11 NXP Semiconductors BAS16LD Single high-speed switching diode 5. Limiting values [1] Device mounted on an FR4 PCB with 60 μm copper strip line. [2] Tj =25°C prior to surge. [3] Reflow soldering is the only recommended soldering method. 6. Thermal characteristics [1] Device mounted on an FR4 PCB with 60 μm copper strip line. [2] Reflow soldering is the only recommended soldering method. Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VRRM repetitive peak reverse voltage -100V VR reverse voltage - 100 V IF forward current [1] 215 mA IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 0.5 μs; δ≤0.25 -500mA IFSM non-repetitive peak forward square wave current [2] tp =1μs-4A tp =1ms - 1 A tp =1s - 0.5 A Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C [1][3] -250mW Tj junction temperature - 150 °C Tamb ambient temperature ?55 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1][2] - - 500 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS16LP-7 | DIODE SW GP 75V 250MW 2-DFN |
| BAS16SL | DIODE FAST SS 85V 150MA SOD-923 |
| BAS16T-7-F | DIODE 85V 155MA SOT-523 |
| BAS17,215 | DIODE STABISTOR 5V 200MA SOT23 |
| BAS19-7-F | DIODE SWITCH 100V 250MW SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS16-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP_11 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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