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参数资料
| 型号： | BAS16LD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 248K |
| 描述： | DIODE SW 100V SOD-882D |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-5294-6 |
                   BAS16LD All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 — 12 October 2010 4 of 11 NXP Semiconductors BAS16LD Single high-speed switching diode 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. [2] When switched from IF = 10 mA to IR =10mA; RL = 100 Ω; measured at IR =1mA. [3] When switched from IF =10mA; tr =20ns. Table 7. Characteristics Tamb =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] IF = 1 mA - - 715 mV IF = 10 mA - - 855 mV IF =50mA --1V IF =150mA --1.25V IR reverse current VR =25V --30nA VR =80V --0.5μA VR=25V; Tj =150°C --30μA VR=80V; Tj =150°C --50μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR =0V --1.5pF trr reverse recovery time [2] --4ns VFR forward recovery voltage [3] --1.75V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS16LP-7 | DIODE SW GP 75V 250MW 2-DFN |
| BAS16SL | DIODE FAST SS 85V 150MA SOD-923 |
| BAS16T-7-F | DIODE 85V 155MA SOT-523 |
| BAS17,215 | DIODE STABISTOR 5V 200MA SOT23 |
| BAS19-7-F | DIODE SWITCH 100V 250MW SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS16-LFR | 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP_11 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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