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参数资料
| 型号： | BAS16LP-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 74K |
| 描述： | DIODE SW GP 75V 250MW 2-DFN |
| 产品目录绘图： | DFN1006-2 Side DFN1006-2 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 2-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1597 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS16LPDIDKR |
BAS16LP
Document number: DS30505 Rev. 12 - 2
2 of 4
www.diodes.com
April 2011
? Diodes Incorporated
BAS16LP
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53 V
Forward Continuous Current
IFM
300 mA
Average Rectified Output Current
IO
200 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
2.0
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
250 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 4)
RθJA
500
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 5)
V(BR)R
75
?
V
IR
= 100
μA
Forward Voltage
VF
?
0.715
0.855
1.0
1.25
V
IF
= 1.0mA
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 150mA
Leakage Current (Note 5)
IR
?
1.0
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 75V, T
J
= 150
°C
VR
= 25V, T
J
= 150
°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
2.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 4. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
0 25 50 75 100 125 150
50
100
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve
150
200
250
300
0
1.5
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAS16LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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