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参数资料
| 型号： | BAS16LP-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 74K |
| 描述： | DIODE SW GP 75V 250MW 2-DFN |
| 产品目录绘图： | DFN1006-2 Side DFN1006-2 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 2-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1597 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS16LPDIDKR |
BAS16LP
Document number: DS30505 Rev. 12 - 2
3 of 4
www.diodes.com
April 2011
? Diodes Incorporated
BAS16LP
0.00010
0.1
0.01
0.001
1
10
100
10
20
30 40
50
60
70
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
I , INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT ( A)
R
μ
00 4 8 1216202428323640
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
f = 1MHz
Fig. 4 Typical Total Capacitance
V , REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
Package Outline Dimensions
Suggested Pad Layout
C
X1-DFN1006-2
Dim
Min
Max Typ
A
0.47
0.53 0.50
A1
0
0.05 0.03
b
0.45
0.55 0.50
D
0.95
1.075 1.00
E
0.55
0.675 0.60
e
-
- 0.40
L
0.20
0.30 0.25
R
0.05 0.15 0.10
All Dimensions in mm
Dimensions
Value (in mm)
Z
1.1
G
0.3
X
0.7
Y
0.4
C
0.7
L
E
b
R
e
D
A1
A
Z
X
G
Y
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS16LP-7B | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS16LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Switching Diode |
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| BAS16LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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