- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录69 > BAS16VV-7 (Diodes Inc)DIODE ARRAY 100V 200MA SOT563 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BAS16VV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 93K |
| 描述： | DIODE ARRAY 100V 200MA SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAS16VV-7DIDKR |
BAS16VV
Document number: DS35791 Rev. 3 - 2
2 of 4
www.diodes.com
June 2012
? Diodes Incorporated
BAS16VV
Maximum Ratings
(@TA
= 25°C unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100 V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
100 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
71 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IFM
200 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
@ t = 1.0μs
@ t = 1.0ms
@ t = 1.0s
IFSM
4.0
1.0
0.5
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
350 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
357
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= 25°C unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
100
?
V
IR
= 100
μA
Forward Voltage
VF
?
0.715
V
IF
= 1.0mA
?
0.855
IF
= 10mA
?
1.0
IF
= 50mA
?
1.25
IF
= 150mA
Leakage Current (Note 6)
IR
?
0.5
μA
VR
= 80V
?
50
μA
VR
= 80V, T
J
= 150
°C
?
30
μA
VR
= 25V, T
J
= 150
°C
?
30 nA
VR
= 25V
Total Capacitance
CT
?
1.5 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0 ns IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PCB, on minimum recommended, 2oz copper pad layout.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
0 50 75 100 125 150
50
100
150
200
250
25
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
300
350
Note 5
R = 357°C/WθJA
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
0.1
1
0.01
0.001
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21AVD,165 | DIODE ARRAY SW 200V SOT457R |
| BAS21DW-7 | DIODE ARRAY 200V 200MA SC70-6 |
| BAS21SLT1G | DIODE SWITCH DUAL 250V SOT23 |
| BAS21TM-7 | DIODE ARRAY 250V 250MA SOT26 |
| BAS21TW-7 | DIODE ARRAY 250V 200MA SOT363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS16VY | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCHING, SOT-363 |
| BAS16VY /T2 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TRIPLE TAPE-11 REV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS16VY T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TRIPLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS16VY,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TRIPLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS16VY,125 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。