参数资料
型号: BAS19
厂商: GE Security, Inc.
英文描述: Small Signal Diodes
中文描述: 小信号二极管
文件页数: 2/2页
文件大小: 35K
代理商: BAS19
BAS19
BAS20
BAS21
SWITCHING TIME TEST DATA
Sampling Oscilloscope
R
IN
=50
DUT
R
S
=50
Pulse Generator
t
rr
+I
F
t
I
R*
t
p(tot)
t
p
90%
10%
90%
V
Recovery Time Equivalent Test Circuit
Input Signal
Output Signal
Input Signal
Total Pulse Duration
t
p(tot)
2
μ
s
δ
Duty Factor
0.0025
Rise Time of Reverse
Pulse
t
r
0.6ns
Reverse Pulse Duration
t
p
100ns
Oscilloscope
Rise Time
t
r
C
0.35ns
Circuit Capacitance*
<1pF
相关PDF资料
PDF描述
BAS21-MR PSoC&reg; Mixed-Signal Array CY8C27143, CY8C27243, CY8C27443, CY8C27543, and CY8C27643
BAS21 SURFACE MOUNT DIODE
BAS21 Surface Mount Switching Diode
BAS21 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21-7 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
BAS19 /T3 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS19 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAS19 RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOT23;SWITCHING DIODE 250MW 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:SOT23;SWITCHING DIODE 250MW
BAS19 RFG 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000
BAS19 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 120V 0.2A 3-Pin TO-236AB T/R