参数资料
型号: BAS21_D87Z
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/3页
文件大小: 53K
描述: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装: 10,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 250V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电容@ Vr, F: 5pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
BAS21
BAS21
General Purpose High Voltage Diode
Sourced from Process 1H. See MMBD1401 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
WIV
Working Inverse Voltage 250 V
IO
Average Rectified Current 200 mA
IF
DC Forward Current 600 mA
if
Recurrent Peak Forward Current 700 mA
if(surge)
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Characteristic Max Units
BAS21
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
2.8
mW/°C
350
mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation BAS21. Rev. A1
SOT-23
3
1
2
A82.
3
12
2 NC
3
1
CONNECTION DIAGRAM
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