- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22057 > BAS21 (Fairchild Semiconductor)DIODE GP 250V SOT-23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BAS21 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 53K |
| 描述： | DIODE GP 250V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 其它图纸： | Diode Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21FSDKR |
BAS21
BAS21
General Purpose High Voltage Diode
Sourced from Process 1H. See MMBD1401 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
WIV
Working Inverse Voltage 250 V
IO
Average Rectified Current 200 mA
IF
DC Forward Current 600 mA
if
Recurrent Peak Forward Current 700 mA
if(surge)
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Characteristic Max Units
BAS21
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
2.8
mW/°C
350
mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation BAS21. Rev. A1
SOT-23
3
1
2
A82.
3
12
2 NC
3
1
CONNECTION DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-21N-EU | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 200W |
| VE-21K-EU | CONVERTER MOD DC/DC 40V 200W |
| THJC475M035SJN | CAP TANT 4.7UF 35V 20% 2312 |
| ECC24DCMN-S288 | CONN EDGECARD 48POS .100 EXTEND |
| MSC8103M1100F | DSP 16BIT 275MHZ CPM 332FCPBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BAS21 RFG | 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| BAS21,215 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SW 200V 200MA HS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21,235 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。