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参数资料
| 型号： | BAS21 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 53K |
| 描述： | DIODE GP 250V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 其它图纸： | Diode Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21FSDKR |
BAS21
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
General Purpose High Voltage Diode
(continued)
Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units
BV
Breakdown Voltage
IR
= 100
μA
250 V
IR
Reverse Voltage Leakage Current VR
= 200 V
VR
= 200 V, T
A
= 150
°C
100
μA
100
nA
VF
Forward Voltage IF
= 100 mA
IF
= 200 mA
1.0
1.25
V
V
CO
Diode Capacitance VR
= 0, f
= 1.0 MHz 5.0 pF
TRR
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 30 mA, I
RR
= 3.0 mA,
RL
= 100
?
50 nS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAS21,235 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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