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参数资料
| 型号： | BAS21DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 描述： | DIODE ARRAY 200V 200MA SC70-6 |
| 其它图纸： | SOT-363 Side 1 SOT-363 Top SOT-363 Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1596 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21DWDIDKR |
BAS20DW-BAS21DW
Document number: DS30617 Rev. 11 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
BAS20DW-BAS21DW
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol BAS20DW BAS21DW Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
200 250 V
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRWM
VR
150 200 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
106 141 V
Forward Continuous Current
IFM
400 mA
Average Rectified Output Current
IO
200 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
2.5
0.5
A
Repetitive Peak Forward Surge Current
IFRM
625 mA
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5)
PD
200 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
625
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6) BAS20DW
BAS21DW
V(BR)R
200
250
?
?
V
IR
= 100
μA
Forward Voltage
VF
?
1.0
1.25
V
IF
= 100mA
IF
= 200mA
Reverse Current
@ Rated DC Blocking Voltage (Note 6)
IR
?
100
15
nA
μA
Tj
= 25
°C
Tj
= 100
°C
Total Capacitance
CT
?
5.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
50 ns IF
= I
R
= 30mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0-50
050100150
250
200
150
50
100
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Derating Curve - Total
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
d
0.001
0.01
0.1
1
0
0.2 0. 60.4
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.8 1.21.0
1.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BAS21TM-7 | DIODE ARRAY 250V 250MA SOT26 |
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| BAS31 | DIODE SS 120V 200MA SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21DWA-7 | 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 250V 100mA (DC) Surface Mount 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:SOT-353 标准包装:3,000 |
| BAS21DWAQ-7 | 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 250V 100mA (DC) Surface Mount 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:SOT-353 标准包装:3,000 |
| BAS21-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-E3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-E3-08 - Bulk 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIG 200V 0.2A SOT23 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt Fast Switch 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
| BAS21-E3-18 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-E3-18 - Bulk 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-E3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
| BAS21E6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 200V 0.625A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Small signal diode,BAS21 0.2A 200V |
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