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参数资料
| 型号： | BAS21DW5T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 250V SOT353 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 29/Oct/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN |
| 其它名称： | BAS21DW5T1OSCT |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
March, 2014 ? Rev. 16
1
Publication Order Number:
BAS19LT1/D
BAS19L, BAS20L, BAS21L,
BAS21DW5
High Voltage
Switching Diode
Features
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
?
S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;
AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
BAS19
BAS20
BAS21
VR
120
200
250
Vdc
Repetitive Peak Reverse Voltage
BAS19
BAS20
BAS21
VRRM
120
200
250
Vdc
Continuous Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
625
mAdc
Junction and Storage Temperature
Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
Power Dissipation (Note 1)
PD
385
mW
Electrostatic Discharge
ESD
HM < 500
MM < 400
V
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Mounted on FR?5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
HIGH VOLTAGE
SWITCHING DIODE
5
CATHODE
1
ANODE
MARKING DIAGRAMS
http://onsemi.com
3
CATHODE
1
ANODE
4
CATHODE
3
ANODE
SOT?23 (TO?236)
CASE 318
STYLE 8
SC?88A (SOT?353)
CASE 419A
SOT?23
SC?88A
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
1
2
3
1
Jx M
x = P, R, or S
P = BAS19L
R = BAS20L
S = BAS21L or BAS21DW5
M = Date Code
= Pb?Free Package
2
3
Jx M
1
3
3
2
1
4
5
*Date Code orientation and/or overbar may vary
depending upon the manufacturing location.
(Note: Microdot may be in either location)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1KA-E3/5AT | DIODE GPP 1A 800V SMA DO-214AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAS21DW-7 | 功能描述:整流器 SMALL SIGNAL DIODE SOT-363 200MW 250V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS21DWA-7 | 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 250V 100mA (DC) Surface Mount 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:SOT-353 标准包装:3,000 |
| BAS21DWAQ-7 | 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 250V 100mA (DC) Surface Mount 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:SOT-353 标准包装:3,000 |
| BAS21-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-E3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-E3-08 - Bulk 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIG 200V 0.2A SOT23 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt Fast Switch 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
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