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参数资料
| 型号： | BAS21DW5T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 250V SOT353 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 29/Oct/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 供应商设备封装： | SOT-353 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 工具箱： | SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN |
| 其它名称： | BAS21DW5T1OSCT |
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS (SOT?23)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board
(Note 2)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
225
1.8
mW
mW/°C
Thermal Resistance
Junction?to?Ambient (SOT?23)
RJA
556
°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate
(Note 3)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
417
°C/W
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS (SC?88A)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
385
mW
Thermal Resistance ?
Junction?to?Ambient
Derate Above 25°C
RJA
328
3.0
°C/W
mW/°C
Maximum Junction Temperature
TJmax
150
°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
2. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
3. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
4. Mounted on FR?5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 Vdc) BAS19
(VR
= 150 Vdc) BAS20
(VR
= 200 Vdc) BAS21
(VR
= 100 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS19
(VR
= 150 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS20
(VR
= 200 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS21
IR
?
?
?
?
?
?
0.1
0.1
0.1
100
100
100
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc) BAS19
(IBR
= 100
Adc) BAS20
(IBR
= 100
Adc) BAS21
V(BR)
120
200
250
?
?
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
?
?
1.0
1.25
Vdc
Diode Capacitance (VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
5.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 30 mAdc, I
R(REC)
= 3.0 mAdc, R
L
= 100)
trr
?
50
ns
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参数描述 |
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